多晶硅生产工艺不仅涉液氯 氯化氢 而且加氢还原工艺易爆

本文摘要:多晶硅工艺历程危险、有害因素浅析如有类似,纯属巧合今天我们来解读一篇2008年揭晓于新疆化工上的一篇文章。多晶硅是集成电路大厦的基石或者粮食。说起硅谷大家都懂了。图0 多晶硅行业工艺主要涉及化学物质11种,见图1-图3。 工艺危险分析共8条,见图4-图5。

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多晶硅工艺历程危险、有害因素浅析如有类似,纯属巧合今天我们来解读一篇2008年揭晓于新疆化工上的一篇文章。多晶硅是集成电路大厦的基石或者粮食。说起硅谷大家都懂了。图0 多晶硅行业工艺主要涉及化学物质11种,见图1-图3。

工艺危险分析共8条,见图4-图5。图1 主要危险化学品图2 主要危险化学品续表图3 主要危险化学品续表图4 危险工序图5 危险工序 续表多晶硅生产历程中主要危险品有氢气,液氯,氯化氢,三氯氢硅等,生产历程中存在火灾,爆炸,中毒,窒息,触电伤害等诸多危险,有害因素。

工艺原理为电解水制得氯气,从而制得氯化氢,与硅粉生成氯硅烷,经由精馏提纯,加氢还原生成硅在硅芯上沉积,从而制得高纯度的多晶硅。图1,化学物质1,氢气为加氢工艺所需,易爆。

图1,化学物质3,氯气,特征为黄绿色。图2,化学物质4,氯化氢关联化学物质3。图2,化学物质7,氟化氢,也是通过多种组合能够快速锁定事故企业的重要标志。

图3,化学物质10,关联化学物质7.根据事故发生事故,如有爆炸,检查涉氢工艺;如果有泄漏事故,重点检查涉氯化氢工艺,同时需防止在非正常生产状态下,发生涉氢爆炸事故。再次声明,解读2008年正式揭晓的学术期刊,如有类似,纯属巧合。


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